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IXYS IXFR21N100Q
| Artikelnummer: | IXFR21N100Q |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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IXYS IXFR21N100Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IXFR21N100Q.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ Serie HiPerFET™, Q Class Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 10.5A, 10V Verlustleistung (max) 350W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) Grundproduktnummer IXFR21 IXFR21N100Q Einzelheiten PDF [English] IXFR21N100Q PDF - EN.pdf -
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